离子源
OIS-ES
电子源
其高电流密度在提高等离子体密度和防止等离子体工艺充电方面非常有效。 长时间的稳定性能,通过RF激发实现的氧气工艺污染少,可以同时控制两个蒸发源。
- Specifications
- 中和器 RFN-3A
- 电流 3000mA
- 最大射频功率 150W
- 控制器 OIS-ESC
- 中和器直流电 OISN-Ⅱ
- 中和器射频 AX300Ⅲ (300W)
其高电流密度在提高等离子体密度和防止等离子体工艺充电方面非常有效。 长时间的稳定性能,通过RF激发实现的氧气工艺污染少,可以同时控制两个蒸发源。